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J-GLOBAL ID：201802218405154244   整理番号：18A0431968

ハイブリッド汎関数計算による非磁性要素X(X=Al,MgおよびLi)をドープしたSrSnO_3における電子構造と室温強磁性【Powered by NICT】

The electronic structure and room temperature ferromagnetism in non-magnetic element X (X = Al, Mg and Li) doped SrSnO₃ from hybrid functional calculations

著者 (5件)： Wang Chao (Department of Applied Physics, Institute of Advanced Materials Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Liu Yanyu (Department of Applied Physics, Institute of Advanced Materials Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Lu Yilin (Department of Applied Physics, Institute of Advanced Materials Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Wu Ping (Department of Applied Physics, Institute of Advanced Materials Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  Zhou Wei (Department of Applied Physics, Institute of Advanced Materials Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin 300072, People’s Republic of China)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 145  ページ： 102-108  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希薄磁性半導体の顕著な特性は特異な磁気特性を持つペロブスカイト材料で話題となっている。非磁性元素X(X=Al,MgおよびLi)をドープしたペロブスカイト立方晶と斜方晶SrSnO_3の磁気的性質は,最先端の混成密度汎関数計算を用いて理論的に研究した。SnサイトでのXドーピングは自発磁化を得ることが観察され,周囲の酸素原子は偏光した。さらに,誘起された磁気モーメントは,ドーパントにより導入された正孔密度と共に増加した。さらに,誘起された磁気モーメントとその安定性はホスト結晶対称性に密接に依存している。LiとMgドープSrSnO_3のためのT Cの計算したCurie温度は室温よりもはるかに高く,室温強磁性は正孔ドーピングにより達成できることを示した。またドーピングシステムはOリッチ条件の下でよりエネルギー的に安定であった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 自発磁化 ,  立方晶系 ,  *電子構造 ,  *リチウム ,  斜方晶系 ,  *ドーピング ,  ドーパント ,  *計算 ,  磁気モーメント ,  Curie温度
準シソーラス用語： 結晶対称性 ,  希薄磁性半導体 ,  *室温強磁性 ,  *非磁性 ,  *ハイブリッド汎関数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ペロブスカイト材料 ,  希薄磁性半導体 ,  ab initio計算 ,  室温強磁性

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (9件)： ハイブリッド汎関数 ,  計算 ,  非磁性 ,  要素 ,  Mg ,  Li ,  ドープ ,  電子構造 ,  室温強磁性