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J-GLOBAL ID：201802218443429037   整理番号：18A0239593

バイオインスパイアード,非生物学的ヘリックスペプチドを用いたワイドバンドギャップGaN半導体の電子バンド構造の柔軟な調節【Powered by NICT】

Flexible Modulation of Electronic Band Structures of Wide Band Gap GaN Semiconductors Using Bioinspired, Nonbiological Helical Peptides

著者 (16件)： Mehlhose Sven (Physical Chemistry of Biosystems, Institute of Physical Chemistry, Heidelberg University, D69120, Heidelberg, Germany) ,  Mehlhose Sven (Department of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto University, 6158510, Kyoto, Japan) ,  Frenkel Nataliya (Physical Chemistry of Biosystems, Institute of Physical Chemistry, Heidelberg University, D69120, Heidelberg, Germany) ,  Frenkel Nataliya (Department of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto University, 6158510, Kyoto, Japan) ,  Uji Hirotaka (Department of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto University, 6158510, Kyoto, Japan) ,  Holzel Sara (I Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, D35392, Giessen, Germany) ,  Muentze Gesche (I Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, D35392, Giessen, Germany) ,  Stock Daniel (I Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, D35392, Giessen, Germany) ,  Neugebauer Silvio (Otto-von-Guericke Universitaet Madgeburg, Abteilung Halbleiterepitaxie, Postfach 4120, D39016, Magdeburg, Germany) ,  Dadgar Armin (Otto-von-Guericke Universitaet Madgeburg, Abteilung Halbleiterepitaxie, Postfach 4120, D39016, Magdeburg, Germany) ,  Abuillan Wasim (Physical Chemistry of Biosystems, Institute of Physical Chemistry, Heidelberg University, D69120, Heidelberg, Germany) ,  Eickhoff Martin (I Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, D35392, Giessen, Germany) ,  Eickhoff Martin (Institut fuer Festkorperphysik, Universitaet Bremen, Otto-Hahn-Allee, D28359, Bremen, Germany) ,  Kimura Shunsaku (Department of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto University, 6158510, Kyoto, Japan) ,  Tanaka Motomu (Physical Chemistry of Biosystems, Institute of Physical Chemistry, Heidelberg University, D69120, Heidelberg, Germany) ,  Tanaka Motomu (Institute for Integrated Cell-Material Science (WPI iCeMS), Kyoto University, 6068501, Kyoto, Japan)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 28  号： 2  ページ： ROMBUNNO.201704034  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップGaN半導体の電子バンドプロファイルの調節は,アミノシランで官能化した湿式化学的に酸化したGaN表面上に堆積した合成,非生物学的アルデヒド末端ヘリックスペプチドの規則的単分子層から放出される高分子双極子ポテンシャルにより達成された。アミノ末端表面へのN-またはC末端の選択結合は双極子モーメントの方向を制御することを可能にするが,アミノ酸の数はその大きさを決定した。高度に秩序化したペプチド単分子層の形成を確認した後,高分子双極子ポテンシャルの影響を電気化学インピーダンス分光法によって定量化した。さらに,フェロセン末端ペプチドのクロノアンペロメトリー測定は,フェロセンから注入された電子の移動は,非弾性ホッピングに従うことを示唆し,一方,フェロセン部分を有するペプチドの電流応答は純粋に容量性ではない。最後に,同じ官能化段階は,GaN/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造に変換した。バイオインスパイアードペプチドの蒸着による2次元電子ガスの電流-電圧特性の安定と定量的変調は,GaN半導体の巨大分子双極子工学のための有望な戦略である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： クロノアンペロメトリー ,  高分子 ,  官能化 ,  *ペプチド ,  双極子モーメント ,  *窒化ガリウム ,  双極子 ,  単分子層 ,  *半導体 ,  フェロセン ,  アミノ酸 ,  電流電圧特性 ,  ホッピング伝導
準シソーラス用語： 電気化学インピーダンス分光法 ,  *ワイドバンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2次元電子ガス ,  GaN ,  ヘリカルペプチド ,  インピーダンス分光法 ,  X線反射率

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 生物学 ,  ワイドバンドギャップ ,  GaN ,  電子バンド構造 ,  調節