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J-GLOBAL ID：201802218452453449   整理番号：18A1281826

GaN(0001)上のレーザMBE(分子ビームエピタキシー)成長酸化鉄エピタキシャル層のシンクロトロン研究

Synchrotron studies of laser MBE grown iron oxide epitaxial layers on GaN(0001)

著者 (4件)： SUTURIN Sergey (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  KOROVIN Alexander (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  TABUCHI Masao (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SOKOLOV Nikolai (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
資料名： KEK Progress Report (Web)  (KEK Progress Report (Web))
号： 2017-10  ページ： ROMBUNNO.317 (WEB ONLY)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0583A  ISSN： 1344-6320  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  レーザMBE ,  分子ビームエピタキシー ,  成長 ,  酸化鉄 ,  エピタキシャル層 ,  シンクロトロン ,  研究