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J-GLOBAL ID：201802218481370322   整理番号：18A1028672

走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡を用いたナノスケールでの相対キャリア濃度の測定:CdTe太陽電池の場合【JST・京大機械翻訳】

Measuring relative carrier concentrations at the nanoscale using scanning microwave impedance microscopy: The case of CdTe solar cells

著者 (7件)： Tuteja Mohit (Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801, USA) ,  Koirala Prakash (Department of Physics and Astronomy, University of Toledo, Toledo, OH 43606, USA) ,  Palekis Vasilios (Department of Electrical Engineering, University of South Florida, Tampa, FL 33620, USA) ,  MacLaren Scott (Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois, Urbana, IL 61801, USA) ,  Ferekides Christos S. (Department of Electrical Engineering, University of South Florida, Tampa, FL 33620, USA) ,  Collins Robert W. (Department of Physics and Astronomy, University of Toledo, Toledo, OH 43606, USA) ,  Rockett Angus A. (Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイス応用に使用される半導体中のナノスケールでの相対キャリア濃度をマップするために用いることができる解析技術として,走査マイクロ波インピーダンス顕微鏡を提示した。ここで示した特定の応用は,rfスパッタリングと閉空間昇華(CSS)を用いて成長させたPV素子グレードCdTeの解析である。CdCl_2アニーリング処理に起因するCdTeの結晶粒界に沿ったキャリア枯渇の直接観察を実証した。これはデバイス製造プロセスにおける重要なステップである。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒界 ,  *キャリア密度 ,  昇華 ,  スパッタリング ,  *テルル化カドミウム ,  *顕微鏡 ,  生産工程 ,  *マイクロ波 ,  *走査 ,  *太陽電池 ,  半導体 ,  *インピーダンス ,  焼なまし
準シソーラス用語： *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 走査型 ,  マイクロ波 ,  インピーダンス ,  顕微鏡 ,  ナノスケール ,  キャリア濃度 ,  CdTe ,  太陽電池