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J-GLOBAL ID：201802218482904557   整理番号：18A2084917

均一なVO₂薄膜の低温高速成膜

Fast preparation of homogeneous VO₂ thin films at low temperature

著者 (4件)： BORDELET Gabrielle Saya (AIST, JPN) ,  YAMAGUCHI Iwao (AIST, JPN) ,  MANABE Takaaki (AIST, JPN) ,  TSUCHIYA Tetsuo (AIST, JPN)
資料名： 日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集
巻： 55th  ページ： 19  発行年： 2018年11月08日 
JST資料番号： Y0049A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  酸化物 ,  *薄膜成長 ,  *低温 ,  金属-絶縁体転移 ,  電気特性 ,  X線回折 ,  状態図 ,  FTIR分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析
準シソーラス用語： 酸化物薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： VO2 ,  薄膜 ,  低温 ,  高速成膜