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J-GLOBAL ID：201802218533930341   整理番号：18A1808233

マイクロおよびナノエレクトロニクスの成分の熱模倣体におけるケイ素-炭素マトリックスによる金属含有ナノ複合材料の膜の使用【JST・京大機械翻訳】

The use of Films of Metal-Containing Nanocomposites with a Silicon-Carbon Matrix in Thermal Imitators of the Components of Micro-and Nanoelectronics

著者 (4件)： Nikolaenko Yu.E. (Heat-and-Power Engineering Department, National Technical University of Ukraine, “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute”, Kyiv, Ukraine) ,  Melnyk R.S. (Heat-and-Power Engineering Department, National Technical University of Ukraine, “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute”, Kyiv, Ukraine) ,  Rotner S.M. (LLC JV “Laser diamond electronic technologies”, Odessa, Ukraine) ,  Nikolaienko T.Yu. (Department of Molecular Physics, National Taras Shevchenko, University of Kyiv, Kyiv, Ukraine)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ELNANO  ページ： 36-39  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 合金化ダイヤモンド状シリコン-炭素膜を得るための技術の設置スキームと特徴を示し,これらの膜に基づく加熱要素をマイクロ-及びナノ電子製品の熱模倣器として使用し,比熱流束を増加させたモジュール(マイクロプロセッサ,透過受信モジュールの高周波マイクロ回路,LED,レーザなど)を作成した。合金化ダイヤモンド状シリコン-炭素膜のマトリックスは非晶質ナノ複合材料構造を有し,その中にナノ寸法を持ち,クロムと炭素を含む化合物から成る介在物を導入した。膜堆積過程のパラメータの制御された変化のために,広い範囲にわたってドープされたダイヤモンド状シリコン-炭素膜の与えられた比抵抗を得ることが可能である:10~4~10~14Ωcm。クロムをドープした厚さ1μmのダイヤモンド状シリコン-炭素膜に基づいて7×30×1mmの寸法を持つ製造した加熱要素の電気抵抗は15Ωであった。60オームの全抵抗を持つ4種類の加熱要素を用いることにより,最大出力806Wの電子モジュールのコンパクトな脱着可能な熱模倣器を作製することが可能になった。開発した熱模倣器の応用は,マイクロおよびナノエレクトロニクスの製品のためのヒートシンク装置の研究および改良のプロセスを加速する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ダイヤモンド ,  合金化 ,  レーザ ,  ドーピング ,  脱着 ,  非晶質 ,  *ナノ複合材料 ,  *炭素 ,  電気抵抗率 ,  ヒートシンク ,  介在物 ,  クロム ,  発熱体
準シソーラス用語： 炭素膜 ,  *ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノエレクトロニクス ,  模倣 ,  ケイ素 ,  炭素 ,  マトリックス ,  ナノ複合材料