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J-GLOBAL ID:201802218675471052   整理番号:18A0839804

太陽電池応用のためのCdSe量子ドット増感ZnOナノロッド【JST・京大機械翻訳】

CdSe quantum dots sensitized ZnO nanorods for solar cell application
著者 (4件):
資料名:
巻: 223  ページ: 227-230  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ゾル-ゲル浸漬被覆法をZnOナノロッドの調製に用いた。ZnOナノロッドを簡単な化学法によりCdSe量子ドットを用いて増感した。ZnOナノロッド上の量子ドットの均一被覆を観測した。ZnOナノロッド,CdSe量子ドットおよびCdSe量子ドット増感ZnOナノロッドの構造,光学および形態を研究した。ZnOナノロッドに基づく膜中のCdSe量子ドットの存在がFESEMとTEM画像で明確に見られ,膜中に存在する元素Zn,O,CdとSeがEDAX分析により確認された。FTO/CdSe量子ドット-ZnOナノロッド/電解質/白金構造ベース太陽電池を作製し,セル効率は2.1%であることが分かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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