文献

J-GLOBAL ID：201802218704295446   整理番号：18A1975631

IrO2/ZnO接触電気特性改善研究【JST・京大機械翻訳】

著者 (1件)： Shen Fangfang (吉林建筑大学 基礎科学部,吉林 長春,130118)
資料名： Keji Chuangxin yu Yingyong  (Keji Chuangxin yu Yingyong)
号： 27  ページ： 49-50  発行年： 2018年 
JST資料番号： C4005A  ISSN： 2095-2945  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)と二酸化イリジウム(IrO2)は独特の半導体材料であり、この半導体材料の構造は六方形を呈するため、ZnO及びIrO2はII-VI半導体材料とも呼ばれる。ZnO及びIrO2の接触電気特性はそれらの自身の特徴に基づいて発展した。ZnOの室温環境に対する要求は3.37eVであり、その束縛能力は60meVに達し、ZnO及びIrO2は非常に良い物理性能と化学的性質を有する。現在、ZnOはセンサー及びバリスタに幅広く応用され、関連部品として現れる。IrO2/ZnOの接触電気特性の改良により、ZnO及びIrO2の利用価値を最大限に高めることができ、金属半導体接触過程の重要な役割を発揮できる。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体材料 ,  酸化イリジウム ,  センサ ,  *電気特性 ,  *酸化亜鉛 ,  半導体 ,  バリスタ
準シソーラス用語： II-VI半導体材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnO ,  特性改善 ,  研究