絶縁OFクライストロン変調器のための固体高電圧スイッチ装置の開発【Powered by NICT】

Inagaki T.; Kondo C.; Masuda K.; Bokuda Y.; Tenjin K.; Tokuchi A.; Otake Y.

文献

J-GLOBAL ID：201802218811610786 整理番号：18A0521035

絶縁OFクライストロン変調器のための固体高電圧スイッチ装置の開発【Powered by NICT】

Development of a solid-state high-voltage switch device for an insulation oil-filled klystron modulator

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=18A0521035&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=18A0521035&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 2017 号： PPC ページ： 1-6 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

サイラトロンパルス電源のための高電圧スイッチデバイスとして広く使用されているが,それらの時効劣化と短寿命は大型加速器施設の頭痛されてきた。特にX線自由電子レーザ(XFEL)施設のための,高齢者サイラトロンに起因する不安定性とサイラトロン置換の高い維持コストは深刻な問題である。この問題を克服するために,サイラトロン置換のための長寿命を有する固体高電圧スイッチを開発した。高電圧スイッチはXFEL施設SACLA(SPring-8オングストローム小型自由電子レーザー)のOF小型変調器に設置するように設計した。60pps(パルス当たり二)繰返し速度で,最大50kVで帯電したパルス形成回路網から5がパルス幅5kAの大電流を行った。高電圧スイッチとしての静電誘導(SI)サイリスタを採用し,サイラトロン置換に適した特性を持つからである。全部で192のSIサイリスタ(24シリーズ,8平行)は,50kVスイッチモジュールに使用されている。変調器は絶縁油で満たされているので,装置の水冷却は適していない。,油循環による強制冷却アルミニウムヒートシンク上のSIサイリスタ。実際のクライストロンと変調器に接続して行ったスイッチの高電圧動作の性能チェック。スイッチは充電電圧50~kV,5kAパルス電流と60pps繰返し速度で安定。SIサイリスタの温度上昇は約7°であり,これが十分に低かった。高電圧スイッチングのためのモジュールを使用することの妥当性は十分に確認された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

, , , , , , , , , , , , , ,

その他のレーザ

, , , , ,

前のページに戻る