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J-GLOBAL ID：201802218826855842   整理番号：18A1384543

n型ゲルマニウム無接合FinFETに及ぼす金属-中間層-半導体ソース/ドレイン接触構造の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Metal-Interlayer-Semiconductor Source/Drain Contact Structure on n-Type Germanium Junctionless FinFETs

著者 (4件)： Jung Seung-Geun (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Kim Seung-Hwan (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Kim Gwang-Sik (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Yu Hyun-Yong (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 8  ページ： 3136-3141  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文において,強化モードn型ゲルマニウム(Ge)接合レスFinFET(JLFETs)に及ぼす重ドープ中間層を有する金属-中間層-半導体(MIS)ソース/ドレイン(S/D)構造の影響を,3-D技術計算機支援設計シミュレーションによって実証した。金属-半導体(MS)S/D構造を用いたn型Ge JLFETは,強いFermi準位ピン止め(FLP)が極端に高いオフ状態電流(I_OFF)と極端に低いオン状態電流(I_ON)を引き起こすので,増強モードで動作することが困難である。MIS S/D構造は,FLPを緩和することによって,これらの問題を解決することができた。MIS S/D構造を有するn型Ge JLFETのシミュレーションにおいて,9.42×10~10A/μmのI_OFF,6.09×10~4A/μmのI_ON,および65.38mV/decのサブ閾値勾配を達成した。異なるチャネルドーピング濃度とフィン寸法に対する素子の性能も評価した。このようにして,非常にドープされた中間層を有するMIS S/D構造は,サブ7nmの技術ノードを超えてn型Ge JLFETsの性能を効果的に強化することができた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *金属 ,  CAD【計算機】 ,  フィン ,  *半導体 ,  シミュレーション ,  ピン止め ,  Fermi準位 ,  電流 ,  ドーピング ,  *接合
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  オン状態 ,  オフ状態 ,  *中間層 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲルマニウム ,  FinFET ,  中間層 ,  ソース ,  ドレイン