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J-GLOBAL ID：201802218892978523   整理番号：18A0446850

SiO_2ゲート誘電体中の不純物密度の制御によるGaN MOSFETの正バイアス温度不安定性特性の改善【Powered by NICT】

Improvement of positive bias temperature instability characteristic in GaN MOSFETs by control of impurity density in SiO₂ gate dielectric

著者 (11件)： Yonehara T. (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Kajiwara Y. (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Kato D. (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Uesugi K. (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Shimizu T. (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Nishida Y. (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Ono H. (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Shindome A. (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Mukai A. (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Yoshioka A. (Advanced Discrete Development Center, Toshiba Device & Semiconductor Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Kuraguchi M. (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 33.3.1-33.3.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2ゲート誘電体中のある種の不純物密度を減少させることにより劇的に抑制された正のバイアス温度不安定性試験におけるGaN MOSFETのしきい値電圧シフト。電荷トラップレベルゲート誘電体中の電子トラップを示したを推定する解析をGaN MOSFETのしきい値電圧シフトを引き起こした。SiO_2中の電子トラップを形成する不純物はSiO_2堆積後の熱処理によって制御され,しきい値電圧シフト特性は不純物密度の減少により改善された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *不純物 ,  *窒化ガリウム ,  *MOSFET ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  閾値電圧シフト ,  *バイアス温度不安定性 ,  *正バイアス温度不安定性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 核融合装置  (BJ02083Z) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  プラズマ診断  (BJ02090L)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート誘電体 ,  不純物 ,  密度 ,  GaN ,  MOSFET ,  正バイアス温度不安定性