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J-GLOBAL ID:201802219026385319   整理番号:18A1426931

3D集積回路の到来時代における高性能でエネルギー効率の良いCMOS回路のための新しいデバイス概念,トランジスタアーキテクチャと材料【JST・京大機械翻訳】

New device concepts, transistor architectures and materials for high performance and energy efficient CMOS circuits in the forthcoming era of 3D integrated circuits
著者 (9件):
資料名:
巻: 2018  号: EDTM  ページ: 236-238  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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本稿では,3D集積回路に向けて進化し,革新的なデバイス概念とこれまでの新しい材料を組み込んだCMOS技術における最近の開発についての選択された話題について述べたCopyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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半導体集積回路  ,  トランジスタ 

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