文献

J-GLOBAL ID：201802219152993478   整理番号：18A1932640

酸化グラフェン/Cu界面の原子および電子構造【JST・京大機械翻訳】

Atomic and electronic structure of graphene oxide/Cu interface

著者 (13件)： Boukhvalov Danil W. (Department of Chemistry, Hanyang University, 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Boukhvalov Danil W. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Kurmaev Ernst Z. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Kurmaev Ernst Z. (M.N. Mikheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 18 Kovalevskoj Str., 620990 Yekaterinburg, Russia) ,  Urbanczyk Ewelina (Faculty of Chemistry, Silesian University of Technology, B. Krzywoustego Street 6, 44-100 Gliwice, Poland) ,  Dercz Grzegorz (Institute of Materials Science, University of Silesia, 75 Pulku Piechoty Street 1 A, 41-500 Chorzow, Poland) ,  Stolarczyk Agnieszka (Faculty of Chemistry, Silesian University of Technology, B. Krzywoustego Street 6, 44-100 Gliwice, Poland) ,  Simka Wojciech (Faculty of Chemistry, Silesian University of Technology, B. Krzywoustego Street 6, 44-100 Gliwice, Poland) ,  Kukharenko Andrey I. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Zhidkov Ivan S. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Slesarev Anatoly I. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Zatsepin Anatoly F. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Cholakh Seif O. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 665  ページ： 99-108  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線光電子放出(XPS)と価電子帯分光法,光学的に刺激された電子放出(OSEE)測定,および電気泳動堆積(EPD)によるCu上に置かれた酸化グラフェン(GO)の密度汎関数理論に基づくモデル化の結果を報告する。EPD調製したGO/Cu複合材料のXPSスペクトルと調製したGO,強く還元したGO,純粋および酸化銅のXPSスペクトルの比較は,金属基板上の酸化銅様層の形成と同時にGOからの酸素含有官能基の部分的(C/O比まで)除去を実証した。OSEE測定は,対応するエネルギーギャップを有するGOからの寄与の不在と同時に,系における酸化銅相の存在を証明した。全ての測定は,銅表面のGO被覆の異なる厚さに対する結果の類似性を実証した。理論的モデル化は,GO層のエネルギーギャップの消失と同時に,2以下のC/O比と基板とGOの間のCu-O-C結合の形成の場合のみ,GOから銅基板への酸素含有官能基の移動の優先性を実証した。実験測定と理論計算の結果に基づいて,銅/GO界面に対する原子構造のモデルを,無ギャップGOにおけるC/O比が約2のCu/CuO/GOとして提案した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  モデリング ,  X線光電子分光法 ,  密度汎関数法 ,  *界面 ,  基板 ,  価電子バンド ,  複合材料 ,  *グラフェン ,  被覆 ,  酸素 ,  X線光電子スペクトル ,  *電子構造 ,  *銅
準シソーラス用語： 官能基 ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： グラフェン ,  酸化グラフェン ,  還元酸化グラフェン ,  密度汎関数理論 ,  X線光電子分光法 ,  伝導率

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化グラフェン ,  Cu ,  界面 ,  原子 ,  電子構造