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J-GLOBAL ID：201802219187767479   整理番号：18A0848127

GaN HEMTのためのハードスイッチングにおける寄生容量EQOSS損失機構,計算,および測定【JST・京大機械翻訳】

Parasitic capacitance Eqoss loss mechanism, calculation, and measurement in hard-switching for GaN HEMTs

著者 (3件)： Hou Ruoyu (GaN Systems Inc., Ottawa, Canada) ,  Lu Juncheng (GaN Systems Inc., Ottawa, Canada) ,  Chen Di (GaN Systems Inc., Ottawa, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： APEC  ページ： 919-924  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム増強モード高電子移動度トランジスタ(GaN E-HEMT)は,ハードスイッチングモードにおいて比較的高効率で高周波を達成することができる。一つの特別な理由は,GaN E-HEMTがゼロ逆回復損失とゼロ逆回復期間を得ることである。シリコン(Si)MOSFETに対して,Q_rrは,ハードスイッチングモードでトランジスタをスイッチするのに大きすぎるというよく知られた問題である。研究者は,逆回復損失を計算するための広範な努力を行った。しかし,Q_rrがSi MOSFETのターンオンスイッチング損失を支配するので,それらのほとんどはQ_ossに注意を払わない。GaN HEMTに対して,Q_rrの不在はQ_ossを顕著にするが,GaN HEMTに対するQ_ossの値はSiと炭化ケイ素(SiC)MOSFETの間で依然として最小である。本論文は,GaN HEMTにおけるEqoss損失に焦点を合わせた。Eqoss損失機構,詳細な計算およびGaN HEMTのための詳細な測定方法を提供した。さらに,異なる接合温度とゲート抵抗での二重パルス試験により理論結果を検証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング損失 ,  HF【周波数】 ,  窒化ガリウム ,  パルス ,  ターンオン ,  *HEMT ,  トランジスタ ,  MOSFET ,  *漂遊容量 ,  炭化ケイ素 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 接合温度 ,  高効率 ,  *ハードスイッチング ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  HEMT ,  ハードスイッチング ,  寄生容量 ,  損失 ,  計算