文献

J-GLOBAL ID：201802219199151085   整理番号：18A2040970

標準0.18μm CMOS技術による高速始動高効率三倍器チャージポンプ【JST・京大機械翻訳】

Fast-Startup High-Efficiency Tripler Charge Pump in Standard 0.18-μm CMOS Technology

著者 (2件)： Allasasmeh Younis (Toronto, Kapik Integration, Ontario, M5V 2L1, Canada) ,  Gregori Stefano (University of Guelph, School of Engineering, Guelph, Ontario, NIG 2W1, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISCAS  ページ： 1-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スイッチブートストラッピング技術による新しいトリプラー電荷ポンプを提示した。この回路は標準の0.18μm CMOSプロセスで完全に集積され,1.8V電源で動作する。解析と測定結果は,従来の設計より速い始動過渡を実証し,同時に,容量負荷を充電するとき,より低いエネルギー消費を示した。静的条件では,駆動能力と変換効率も改善される。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー消費 ,  *高速度 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 変換効率 ,  容量負荷 ,  *チャージポンプ回路 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 標準 ,  CMOS技術 ,  始動 ,  高効率 ,  チャージポンプ