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J-GLOBAL ID：201802219297175098   整理番号：18A0442968

パッケージ銅ピラーバンプエレクトロマイグレーションに及ぼす故障解析の応用【Powered by NICT】

Application of failure analysis on package copper pillar bump electromigration

著者 (3件)： Wang Wei-chiao (Micro Electrical Packaging Laboratory, Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Taiwan, 700, Kaohsiung University Rd, Nanzih District, Kaohsiung 811, Taiwan, R.O.C.) ,  Cheng Kuan-I (Micro Electrical Packaging Laboratory, Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Taiwan, 700, Kaohsiung University Rd, Nanzih District, Kaohsiung 811, Taiwan, R.O.C.) ,  Wu Sung-Mao (Micro Electrical Packaging Laboratory, Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Taiwan, 700, Kaohsiung University Rd, Nanzih District, Kaohsiung 811, Taiwan, R.O.C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPTC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅ピラーバンプは,通常,高電流密度と高温の環境におけるパワーICとドライバICに使用されている。エネルギーである活性化エネルギーよりも高い場合,エレクトロマイグレーションが起こり,パッケージの構造を変化させた。微量増加の抵抗として,余分なエネルギーを引き起こす可能性がある。ICは失敗する可能性がある。本論文の目的は,エレクトロマイグレーションによる構造変化原因を観察することである。また材料の活性化エネルギーを計算した。最後に,本論文の目的は,種々の電流密度と温度における銅ピラーバンプのMTTF(平均故障時間)を推定した。試料のMTTFを推定するために材料の活性化エネルギーを計算し,結果を証明するために確認実験を設計するための一連の実験を設計した。本論文では故障解析による試料の構造変化も観察した。目的は,破壊の理由を実現する金属間化合物とKirkendallボイドを見ることである。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流密度 ,  実証実験 ,  *エレクトロマイグレーション ,  *故障解析 ,  活性化エネルギー ,  高温 ,  金属間化合物
準シソーラス用語： MTTF ,  構造変化 ,  パワーIC ,  高電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： パッケージ ,  銅 ,  故障解析 ,  応用