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J-GLOBAL ID:201802219449602168   整理番号:18A1903865

入れ子リング構造に基づく高等方性Terfenol-D/PZT磁気電気センサ【JST・京大機械翻訳】

Highly Isotropic Terfenol-D/PZT Magnetoelectric Sensor Based on Nested Ring Structure
著者 (9件):
資料名:
巻: 54  号: 11  ページ: ROMBUNNO.2502405.1-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0339B  ISSN: 0018-9464  CODEN: IEMGAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,スカラー磁場測定用の高等方性センサを研究し,入れ子リング構造に基づくTerfenol-D/PZT複合磁気電気センサを開発した。構造の出力特性に及ぼす印加磁場,方向,およびバイアス磁場の影響を研究し,それが良い線形性と広い測定範囲を有することを観察した。小信号励起に適した線形理論モデルによると,印加交流磁場の方向が変化するとき,最大出力電圧と最小出力電圧の比はわずか3:1である。実験と理論の両方の結果は,ネステッドリング構造化センサが高度に等方性であることを実証した。磁気電気センサの等方性は圧電および磁歪材料の形状等方性だけでなく,バイアス磁場の振幅にも依存することを観測した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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磁性材料  ,  磁電デバイス  ,  金属薄膜  ,  金属の磁区及び磁化過程 
タイトルに関連する用語 (5件):
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