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J-GLOBAL ID：201802219518142444   整理番号：18A0187838

垂直トンネリングに基づく新しいSiGe/Siヘテロ構造TFET概念の検討【Powered by NICT】

Examination of a new SiGe/Si heterostructure TFET concept based on vertical tunneling

著者 (8件)： Glass S. (Peter-Gruenberg Institute 9, and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Schulte-Braucks C. (Peter-Gruenberg Institute 9, and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Kibkalo L. (Peter-Gruenberg Institute 9, and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Breuer U. (Zentralinstitut fuer Engineering, Elektronik und Analytik, Forschungszentrum Juelich, 52425 Jeulich, Germany) ,  Hartmann J. M. (University of Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France and CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054, Grenoble, France) ,  Buca D. (Peter-Gruenberg Institute 9, and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Mantl S. (Peter-Gruenberg Institute 9, and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Zhao Q. T. (Peter-Gruenberg Institute 9, and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： E3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ソース-ゲート重なり領域における線トンネルを促進する設計を利用した垂直SiGe/Siヘテロトンネル接合を持つトンネル電界効果トランジスタ概念を提示した。対照的に,寄生点トンネルの影響を構造の限界である,鋭いターンオンをもたらした。適切な層スタックとデバイス製造の成長は完全に実現可能であり,概念の証明として最初の電気的測定を提供することを示した。スケーリングデバイス寸法による性能を向上させ,チャネルドーピングを調整する経路は,TCADシミュレーションにより検討した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気測定 ,  ターンオン ,  *ケイ素 ,  トンネル接合 ,  *トンネル効果 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： TCAD ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *ヘテロ構造 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  集積回路一般  (NC03161C) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  CAD,CAM  (JE10000A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 垂直 ,  トンネリング ,  SiGe ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  TFET ,  概念