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J-GLOBAL ID:201802219614041988   整理番号:18A0849673

吸収分光法のためのCMOSイメージャ上へのフォトニックスタックのモノリシック集積【JST・京大機械翻訳】

Monolithic integration of photonic stack onto CMOS imager for absorption spectroscopy
著者 (14件):
資料名:
巻: 2018  号: MEMS  ページ: 735-738  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,専用の作製プロセスを用いて,CMOSイメージャの上部に独特のフォトニックスタックをモノリシック集積することについて報告した。システムの重要な構成要素は,窒化ケイ素(SiNy)光導波路,傾斜入力鏡,格子/外部結合器,および共振器境界を定義する銅ベースの垂直ミラーから成る。スタックをNIR範囲(800~900nm)での操作のために最適化した。著者らの知る限り,これはSiNy導波路技術と結合した傾斜金属鏡を含む完全集積フォトニックスタックの最初の実証である。フォトニックビルドアップは,それらの中で種々の応用に使用できる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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撮像・録画装置 
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