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J-GLOBAL ID：201802219701918027   整理番号：18A1699617

シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのコンタクト特性に関する調査

著者 (3件)： 東堂大地 (広島大 大学院) ,  花房宏明 (広島大 大学院) ,  東清一郎 (広島大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-221C-3  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  半導体素子 ,  *Ohm接触 ,  熱処理 ,  アモルファスシリコン ,  半導体薄膜 ,  電流電圧特性 ,  Schottky障壁 ,  *接触抵抗 ,  アルミニウム
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  SiCパワーデバイス

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  コンタクト ,  調査