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J-GLOBAL ID：201802219889814286   整理番号：18A2149233

PBIIシステムと組み合わせたHiPIMSで作製したSi-DLC膜の電気伝導度

Electrical Conductivity of Si-DLC films prepared by HiPIMS combined with PBII system

著者 (4件)： SHIBATA Y. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KIMURA T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  NAKAO S. (AIST-Chubu, Nagoya, JPN) ,  AZUMA K. (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 40th  ページ： 159-160  発行年： 2018年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *電気伝導率 ,  *ケイ素 ,  *含有量 ,  *DLC膜 ,  薄膜成長 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *プラズマ ,  *イオン注入 ,  プラズマCVD ,  プラズマ生成 ,  硬質 ,  摩擦係数 ,  X線光電子分光法 ,  *高密度プラズマ
準シソーラス用語： *HiPIMS

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： HiPIMS ,  作製 ,  電気伝導度