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J-GLOBAL ID：201802219977931161   整理番号：18A0160563

シリコンフォトニックプラットフォームのためのGe_2Sb_2Te_5垂直光検出器の設計とシミュレーション【Powered by NICT】

Design and Simulations of Ge₂Sb₂Te₅ Vertical Photodetector for Silicon Photonic Platform

著者 (4件)： Srivastava Vibhu (Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Allahabad, India) ,  Tolani Manoj (Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Allahabad, India) ,  Sunny (Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Allahabad, India) ,  Kumar Rajesh (Department of Physics, Indian Institute of Technology at Roorkee, Roorke, India)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 18  号： 2  ページ： 540-546  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,通信波長(1550 nm)でのシリコンプラットフォームのための非晶質Ge_2Sb_2Te_5(a GST)に基づく垂直光検出器の設計とシミュレーションを報告した。著者らの研究では,シリコンプラットホーム上の-GSTは良好な応答性と低暗電流の導波路光検出器として用いることができることが分かった。構造の最適化は,カソードでの吸収,光電流,および対応する電流を改善した。単一モードシリコンオンインシュレータ導波路上に集積したとき~150nmは高い応答性(~48 A/W)のGST材料の最適化された厚さであることを明らかにした。応答性は,既存のアバランシェフォトダイオードと同等であった。最適寸法を用いて,暗電流と光電流の良好な比が得られた。著者らの知識の及ぶ限りでは,これは-GSTベース光検出器に関する最初の報告である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 暗電流 ,  単一モード ,  *光検出器 ,  アバランシェフォトダイオード ,  電流 ,  導波路 ,  応答特性 ,  光電流 ,  電波 ,  非晶質 ,  最適化

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  光検出器 ,  設計 ,  シミュレーション