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J-GLOBAL ID:201802220207873777   整理番号:18A2234895

Cu(In,Ga)Se_2共蒸着中の優先結晶成長による欠陥消滅【JST・京大機械翻訳】

Defect Annihilation by Preferential Grain Growth during Cu(In,Ga)Se2 Co-evaporation
著者 (3件):
資料名:
巻: 2018  号: WCPEC  ページ: 3875-3879  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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三段階Cu(In,Ga)Se_2共蒸発過程のCu-Se堆積中の微細構造変化の原因となる機構と駆動力の深い理解を得るため,吸収体品質に及ぼすその影響を調べた。本研究は,Cu-Se蒸着中の吸収体層の構造的および物理的性質のいくつかの相関変化,すなわち,欠陥消滅,応力緩和,集合組織変化,および粒成長などのアニーリングに関する洞察を提供した。この寄与において,これらの種々の観察を組み合わせて,それらが隣接する結晶粒の欠陥密度の差によって駆動される異常な粒成長のモデルによって説明できる方法について議論する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
音声処理  ,  符号理論  ,  専用演算制御装置 

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