インジウムオキシスルフィド薄膜のプラズマ増強原子層堆積の化学に関する新しい洞察とCu(In,Ga)Se_2薄膜太陽電池におけるバッファ層としての使用【JST・京大機械翻訳】

Bugot Cathy; Bouttemy Muriel; Schneider Nathanaelle; Etcheberry Arnaud; Lincot Daniel; Donsanti Frederique

文献

J-GLOBAL ID：201802220228578048 整理番号：18A2167789

インジウムオキシスルフィド薄膜のプラズマ増強原子層堆積の化学に関する新しい洞察とCu(In,Ga)Se_2薄膜太陽電池におけるバッファ層としての使用【JST・京大機械翻訳】

New insights on the chemistry of plasma-enhanced atomic layer deposition of indium oxysulfide thin films and their use as buffer layers in Cu(In,Ga)Se₂ thin film solar cell

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資料名：
巻： 36 号： 6 ページ： 061510-061510-10 発行年： 2018年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

原子層堆積(ALD)とプラズマ増強ALDにより成長させたIn_xS_yとIn_2(S,O)_3薄膜の比較化学分析を行い,プラズマ支援に関連する課題と課題,特に銅インジウムガリウムジセレニド(CIGS)太陽電池の超薄(<50nm)界面バッファ層としてのこれらの膜の実現を理解した。インジウム,硫黄,および酸素前駆体として,インジウムアセチルアセトナート[In(acac)_3],硫化水素,およびAr/O_2プラズマを用いて,膜を合成した。膜成長機構と化学を,表面と深い特性化のために四重極質量分析とX線光電子分光法による気相測定を用いて研究した。膜の全体組成に関する熱及びプラズマ過程の特徴を明らかにし,さらに議論し,説明した。これに加えて,参照としてシリコンを用いて,基礎となる基板に及ぼすプラズマの影響をさらに研究し,その修飾を同定した。この広範な研究は,In_2(O,S)_3薄膜の堆積条件の再調整をもたらし,CIGS太陽電池のバッファ層として有望な実現を可能にした。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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酸化物薄膜 , 半導体薄膜

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