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J-GLOBAL ID：201802220255767542   整理番号：18A1253610

(100)β-Ga_2O_3上のHfO_2/Al_2O_3二層誘電体MOSCAPSのC-VおよびJ-V研究【JST・京大機械翻訳】

C-V and J-V investigation of HfO₂/Al₂O₃ bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga₂O₃

著者 (15件)： Dong Hang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Mu Wenxiang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Hu Yuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  He Qiming (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Fu Bo (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Xue Huiwen (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Qin Yuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Jian Guangzhong (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Zhang Ying (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Long Shibing (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Jia Zhitai (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Lv Hangbing (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Tao Xutang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 6  ページ： 065215-065215-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,n型ドープ(100)β-Ga_2O_3上の異なる積層順序における大きなバンドギャップAl_2O_3と高k HfO_2から成る二層誘電体を有するMOSキャパシタを,C-VとJ-V測定により調べた。C-V測定結果により,HfO_2の入射は,二層構造を増加させる誘電定数を達成し,単一Al_2O_3と比較して,トランジスタにおける良好なゲート制御能力を意味することを明らかにした。さらに,高周波静電容量法により抽出した界面状態密度は,0.2~0.9eVのエネルギー範囲において,HfO_2/(100)β-Ga_2O_3(8.4×10~12cm~2eV~1~1.0×10~11cm~2eV~-1)と比較D_値(8.0×10~12cm~2eV~-1から2.2×10~11cm~2eV~1)を示した。さらに,Al_2O_3/HfO_2/Ga_2O_3の7.8Vより大きい順方向絶縁破壊電圧を示すHfO_2/Al_2O_3/Ga_2O_3は,Ga_2O_3半導体と高k HfO_2誘電体の間に挿入したより大きなバンドギャップAl_2O_3絶縁体がゲート漏れ電流をより効果的に防止できることを示した。従って,HfO_2/Al_2O_3/Ga_2O_3は,許容できるゲート絶縁破壊電圧でゲート制御能力を強化することができ,Ga_2O_3MOSFETのゲート構造の設計における代替選択になる。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  トランジスタ ,  静電容量 ,  HF【周波数】 ,  *誘電体 ,  ドーピング ,  誘電率 ,  絶縁体 ,  半導体
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  絶縁破壊電圧 ,  界面状態密度 ,  ゲート制御 ,  二重層 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二層 ,  誘電体 ,  研究