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J-GLOBAL ID：201802220326808694   整理番号：18A0242242

有機電界効果トランジスタ特性からの電荷濃度に依存する移動度測定の方法論【Powered by NICT】

On the methodology of the determination of charge concentration dependent mobility from organic field-effect transistor characteristics

著者 (6件)： Mensik Miroslav (Institute of Macromolecular Chemistry, Academy of Sciences of the Czech Republic, v.v.i., Heyrovsky Sq. 2, 162 06 Prague 6, Czech Republic. [e-mail]) ,  Toman Petr ,  Bielecka Urszula ,  Bartkowiak Wojciech ,  Pfleger Jiri ,  Paruzel Bartosz
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 4  ページ： 2308-2319  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)特性,構造およびエネルギー無秩序を持つ半導性高分子に適用できるから電荷密度依存移動度を決定するための新しい方法を開発した。斜面I_SD~1/2対V_SG(飽和領域)から得られた電界効果移動度の決定や相互コンダクタンスdI_SD/dV_SG(線形領域)から「有機トランジスタおよび材料の特性化のための試験方法のためのIEEE規格」により推奨された基本式は濃度依存電荷キャリア移動度をもつ材料には適していないことを示した。代替式,直接電荷濃度に明示的に依存する移動度を持つドリフト-拡散方程式から解析的に導出することができるを提案した。移動度の決定についての本方法論はボトムゲートボトムSD電極配置を持つポリ(3 ヘキシルチオフェン) バセドOFETに対して得られた実験データの分析に使用した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： IEEE規格 ,  線形性 ,  *電荷 ,  *移動度 ,  半導性 ,  相互コンダクタンス ,  キャリア移動度 ,  拡散方程式 ,  ドリフト ,  キャラクタリゼーション ,  高分子
準シソーラス用語： 電極配置 ,  電界効果移動度 ,  電荷密度 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機電界効果トランジスタ ,  電荷 ,  移動度 ,  方法論