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J-GLOBAL ID：201802220334211143   整理番号：18A0920485

TbFeCo薄膜における有効元素量と磁気物性の相関

Correlation between the Effective Amounts of Elements in TbFeCo Thin Films and Their Magnetic Properties

著者 (7件)： 原亮介 (千葉工業大学工学研究科電気電子情報工学専攻) ,  山根治起 (秋田県産業技術センター電子光応用開発部) ,  伊佐地育圭 (千葉工業大学工学研究科工学専攻) ,  小林政信 (千葉工業大学工学部先端材料工学科) ,  森迫昭光 (信州大学工学部電子情報システム工学科) ,  Liu Xiaoxi (信州大学工学部電子情報システム工学科) ,  安川雪子 (千葉工業大学工学部電気電子工学科)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 82  号： 5  ページ： 140-146(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究においては,TbFeCo薄膜を通常のバッチタイプスパッタリング機械を適用しDCマグネトロンスパッタリング技術を用いて調製した。得た膜の磁気ヒステリシスループや磁気光学特性のような磁気的性質を測定した。さらに,TbFeCo薄膜中の”有効”元素の量,即ち酸化によって放出される構成物の量を精密に評価した。また,膜調製の前のスパッタリング前条件を変えることで有効元素の量を制御することを試みた。スパッタリング前プロセスが調製したTbFeCo薄膜中の元素の有効な量に多大に影響するため,磁気的性質がスパッタリング前条件を変えることでサンプルごとに劇的に異なった。不十分なスパッタリング前処理は,十分なスパッタリング前処理で調製したものと比較して相対的に高い酸素量をもたらした。面外方向の顕著な垂直磁気異方性が60分のスパッタリング前処理後に調製した膜において観察され,これは,磁気ヒステリシス測定からの保磁力(H_c⊥)値6.4kOeと波長700nmの入射光での磁気光学偏光Kerrヒステリシス測定からの8.2kOeを示した。この膜の偏光Kerr回転角(θ_K)の飽和値は約0.3°でこれは理論的な最適値と同等である。従って,高品質TbFeCo膜を単純なバッチタイプスパッタリング機械を用い高い再現性で得ることができ,TbFeCo薄膜中の元素の有効な量とそれらの磁気的性質の間の強い相関があることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *鉄合金 ,  コバルト含有合金 ,  テルビウム添加合金 ,  *金属薄膜 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *磁気的性質 ,  前処理 ,  垂直磁気異方性 ,  Kerr効果 ,  合金元素
準シソーラス用語： *DCマグネトロンスパッタリング

著者キーワード (10件)： テルビウム鉄コバルト磁性薄膜 ,  磁気的性質 ,  磁気光学極性Kerr効果 ,  有効な元素量 ,  酸化 ,  テルビウム鉄コバルト磁性薄膜 ,  磁気的性質 ,  磁気光学極性Kerr効果 ,  有効な元素量 ,  酸化

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  磁気的性質  (WB02020J)

引用文献 (18件)：

• 1) M. Y. Teng, C. Y. Hsu, K. S. Liu and I. N. Lin: J. Magn. Magn. Mater. 239(2002) 338-342.
• 2) T. Chen, D. Cheng and G. B. Charlan: IEEE Trans. Magn. Mag-16(1980) 1194-1196.
• 3) M. Mochida and T. Suzuki: IEEE Trans. Magn. 38(2002)2096-2098.
• 4) M. T. Rahman, X. Liu, M. Matsumoto and A. Morisako: IEEE Trans. Magn. 41(2005) 2568-2570.
• 5) D. Bang and H. Awano: J. Appl. Phys. 115(2014) 17D512.

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  磁気 ,  物性 ,  相関