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J-GLOBAL ID:201802220416540463   整理番号:18A0427820

ホットプレスとスパークプラズマ焼結による単相2元系ハフニウムTa4炭化物(Ta,Hf)Cとその圧密の自己伝搬高温合成【Powered by NICT】

Self-propagating high-temperature synthesis of single-phase binary tantalum-hafnium carbide (Ta,Hf)C and its consolidation by hot pressing and spark plasma sintering
著者 (6件):
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巻: 44  号:ページ: 4320-4329  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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機械的活性化(MA)反応混合物からの自己伝搬高温合成(SHS)による単相二元炭化物(Ta,Hf)Cの製造を検討した。反応混合物およびSHS生成物の微細構造と相組成に及ぼす機械的活性化条件の影響を調べた。測定した燃焼温度(2127°C)を計算した断熱温度(3001°C)よりも有意に低かった,これは燃焼中の集中的なガス放出と熱電対とブリケットの間の熱接触の可能な損失に関係している。空気中MA後,SHS生成物は格子定数0.4487nmの実質的に単相炭化,溶存HfCの18.0at%に対応したHfO_2含有量は1%以下であった。SHS生成物は10μm以下の炭化物粒径増加を伴う高空隙率の焼結した。得られた生成物を遊星ボールミル中で精密化した。90.0±5.0%までの相対密度を有する緻密な試料,24.0 27 4GPaの硬度,423.6 484-9.4GPaのヤング率,および弾性回復値44.3 46.1のSHSミクロンサイズ(Ta,Hf)C粉末を用いたホットプレスとスパークプラズマ焼結法により作製した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質 

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