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J-GLOBAL ID：201802220566373978   整理番号：18A1349291

非最密充填を有するセンチメートルスケールの無機ナノ粒子超格子単分子層とメモリ素子におけるその高性能【JST・京大機械翻訳】

A Centimeter-Scale Inorganic Nanoparticle Superlattice Monolayer with Non-Close-Packing and its High Performance in Memory Devices

著者 (14件)： Wang Ke (Key Lab of Materials Chemistry for Energy Conversion & Storage of Ministry of Education (HUST), School of Chemistry & Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Ling Haifeng (Key Lab for Organic Electronics and Information Displays & Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing, 210023, P. R. China) ,  Bao Yan (Key Lab for Organic Electronics and Information Displays & Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing, 210023, P. R. China) ,  Yang Mengting (Key Lab of Materials Chemistry for Energy Conversion & Storage of Ministry of Education (HUST), School of Chemistry & Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Yang Yi (Key Lab of Materials Chemistry for Energy Conversion & Storage of Ministry of Education (HUST), School of Chemistry & Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Hussain Mubashir (Key Lab of Materials Chemistry for Energy Conversion & Storage of Ministry of Education (HUST), School of Chemistry & Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Wang Huayang (Key Lab of Materials Chemistry for Energy Conversion & Storage of Ministry of Education (HUST), School of Chemistry & Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Zhang Lianbin (Key Lab of Materials Chemistry for Energy Conversion & Storage of Ministry of Education (HUST), School of Chemistry & Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Xie Linghai (Key Lab for Organic Electronics and Information Displays & Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing, 210023, P. R. China) ,  Yi Mingdong (Key Lab for Organic Electronics and Information Displays & Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing, 210023, P. R. China) ,  Huang Wei (Key Lab for Organic Electronics and Information Displays & Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing, 210023, P. R. China) ,  Huang Wei (Shaanxi Institute of Flexible Electronics (SIFE), Northwestern Polytechnical University (NPU), Xi’an, 710072, P. R. China) ,  Xie Xiaolin (Key Lab of Materials Chemistry for Energy Conversion & Storage of Ministry of Education (HUST), School of Chemistry & Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Zhu Jintao (Key Lab of Materials Chemistry for Energy Conversion & Storage of Ministry of Education (HUST), School of Chemistry & Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 27  ページ： e1800595  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近接場結合効果により,調整可能な粒子間距離(d)を有する非最密充填ナノ粒子(NP)集合体は大きな注目を引き,種々の機能デバイス,例えば有機ナノフローティングゲートメモリ(NFGM)デバイスにおける大きな潜在的応用を示す。残念ながら,デバイススケールの非充填2D NPs材料の作製は,その実用化を制限している課題のままである。ここでは,高性能ペンタセン系NFGMのためのセンチメートルスケールでの非最密充填AuNP超格子単分子層(SM)を生成するための,容易ではあるがロバストな「急速な液液界面集合」戦略を報告する。dとそのためSMの表面プラズモン共鳴スペクトルはテザー高分子の分子量を調整することにより調整でき,d値を正確に制御することにより,短時間メモリから不揮発性データ貯蔵までの高い調整可能性能をもつ感光性NFGMデバイスの作製が可能になった。最良性能の不揮発性メモリ素子は,AuNP非晶質単分子層を持つ従来の素子と比較して,10年後でも顕著な8レベル(3ビット)記憶と10~5以上のメモリ比を示した。本研究は,非充填構造を有する大面積2D NPs材料を得るための新しい機会を提供し,それは,マイクロエレクトロニクス,光起電力デバイス,および生化学センサに対して有意に意味がある。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *超格子 ,  *記憶素子 ,  *単分子層 ,  非晶質 ,  高分子 ,  スペクトル ,  高速度 ,  不揮発性メモリ ,  非揮発性 ,  化学センサ ,  ロバスト性 ,  *ナノ粒子 ,  近接場
準シソーラス用語： *最密充填 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 無機ナノ粒子 ,  液液界面集合 ,  ナノフローティングゲートメモリデバイス ,  非最密充填 ,  超格子単層

分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 最密充填 ,  スケール ,  ナノ粒子 ,  超格子 ,  単分子層 ,  メモリ素子 ,  高性能