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J-GLOBAL ID：201802220774113417   整理番号：18A0585412

真空における直流とインパルス電圧下でのPTFE絶縁体上の表面電荷蓄積挙動の実験的研究【Powered by NICT】

Experimental investigation of surface charge accumulation behaviors on PTFE insulator under DC and impulse voltage in vacuum

著者 (6件)： Su Guo-Qiang (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Wang Yi-Bo (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Guo Bao-Hong (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Song Bai-Peng (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Mu Hai-Bao (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China) ,  Zhang Guan-Jun (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, China)
資料名： IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation  (IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation)
巻： 24  号： 6  ページ： 3347-3356  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0578A  ISSN： 1070-9878  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上の表面電荷の集積は真空中でのフラッシオーバ過程,まだ完全には理解されていない重要な役割を果たしている。本論文では,絶縁体表面の帯電挙動を負のDC及びインパルス電圧下で実験的に調べた。直流電圧の場合,二充電段階が観察された,すなわち,カソード近傍領域は最初に負の低電圧(ステージI)下での荷電と正に帯電した陰極-陽極表面(ステージII)により追跡した。ステージIでの表面帯電は電極試料表面層へのホモ電荷のSchottky注入により生じたと考えられている。がステージIIでの二次電子放出(SEE)プロセスである正に荷電したアノード-カソード表面の原因である。しかし,ステージIで充電がプレストレス過程,並びに電極絶縁体界面条件に非常に敏感である。電圧持続時間が増加すると陰極からの電子の注入は,表面電荷の蓄積における徐々に減少につながる可能性がある。インパルス電圧の場合,ホモ電荷のSchottky注入は表面帯電にほとんど影響しない時間は表面層における電荷注入と移動に対しては短すぎる。SEEプロセスはその非常に高速な確立過程に起因する表面帯電を支配するであろう。飽和表面電荷密度と印加電圧との間の得られる良好な直線関係があり,このことは一般に二次電子放出なだれ理論に基づく数値計算結果と一致した。最後に,正の表面電荷をもつ電子の絶縁体表面とそれに続く中和から脱着したガスのイオン化はフラッシュオーバにおける表面電荷を除去するための主な原因であることを確認した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *表面電荷 ,  カソード ,  キャリア注入 ,  フラッシュオーバ ,  *ポリテトラフルオロエチレン ,  *電圧 ,  *衝撃電圧 ,  *帯電 ,  *絶縁体 ,  二次電子放出 ,  数値計算 ,  充電 ,  表層 ,  *電荷
準シソーラス用語： 表面帯電 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 絶縁材料  (NA04030W) ,  気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 真空 ,  直流 ,  インパルス電圧 ,  PTFE ,  絶縁体 ,  電荷蓄積 ,  挙動 ,  実験的研究