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J-GLOBAL ID：201802220830046188   整理番号：18A0930341

パターン化シリコン基板上に成長させたAlGaN/GaN/AlGaN DH-HEMT【JST・京大機械翻訳】

AlGaN/GaN/AlGaN DH-HEMTs Grown on a Patterned Silicon Substrate

著者 (7件)： Comyn Remi (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France) ,  Chenot Sebastien (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France) ,  Alouani Wissam El (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France) ,  Nemoz Maud (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France) ,  Frayssinet Eric (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France) ,  Damilano Benjamin (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France) ,  Cordier Yvon (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 9  ページ： e1700642  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Si(111)基板を5μmの深い溝で分離した120μm幅の正方形メサでパターン化した。Al_0.29Ga_0.71N/GaN HEMT構造を,GaNと低Al含有量AlGaNバッファのために以前に開発された歪緩和スタック上に,2μm厚Al_0.15Ga_0.85Nバッファを有する分子線エピタクシーによって成長させた。表面検査は,平面成長と比較して,亀裂の欠如と粗さの修正を確認した。興味深いことに,平面成長とは対照的に,X線回折は,Al_0.15Ga_0.85Nバッファ上に成長させた150nm GaNチャネル内で,塑性歪緩和が抑制されることを示した。成長した膜の電気的性質を評価するためにデバイスを作製した。C-VとTLM測定により,密度7×10~12cm-2,シート抵抗約450Ω□-1の2DEGの存在を明らかにした。円形形状トランジスタを200Vドレインバイアスまで測定した。Al_0.05Ga_0.95Nバッファを有する平面構造上に以前に作製されたデバイスと比較して,バッファ中のより大きなAl含有量のために,オフ状態漏れ電流の1桁が得られた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  シート抵抗 ,  X線回折 ,  チャネル ,  *窒化ガリウム ,  MBE成長 ,  *HEMT ,  亀裂 ,  緩和現象 ,  電気的性質 ,  *パターン形成 ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： アンモニア分子ビームエピタクシー(NH3-MBE) ,  ダブルヘテロ構造HEMT(DH-HEMT) ,  シリコン上の窒化ガリウム(GaN)ヘテロエピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： パターン化 ,  シリコン基板 ,  成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT