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J-GLOBAL ID：201802220843855628   整理番号：18A0848424

電力半導体を評価するための完全電力エミュレーションプラットフォーム【JST・京大機械翻訳】

A full power emulation platform for evaluating power semiconductors

著者 (3件)： Lu Juncheng Lucas (GaN Systems Inc, Ottawa, Canada) ,  Qiu Yajie (GaN Systems Inc, Ottawa, Canada) ,  Chen Di (GaN Systems Inc, Ottawa, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： APEC  ページ： 2861-2867  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フルブリッジエネルギー再循環とストレージ回路の動作原理を調査し,ソフトスイッチングとハードスイッチング条件の両方の下で電力半導体を評価するために拡張した。周波数変化と位相シフト制御を組み合わせることにより,試験中のデバイスに対する高出力条件をエミュレートする回路内でエネルギーを再循環できる。システム損失を補償する低電力供給により,費用のかかる高電力供給と負荷の使用を避けることに成功した。例として,並列に4つの30A/650V GaN HEMTを有するIMSベースのハーフブリッジ電力モジュールを,提案した完全電力エミュレーションプラットフォームによって評価した。結果は,理論的投影,シミュレーションおよび実験の間の良好な相関を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エミュレーション ,  ソフトスイッチング ,  *電力 ,  位相シフト ,  再循環 ,  *半導体 ,  電力供給
準シソーラス用語： パワーモジュール ,  ハーフブリッジ ,  GaN HEMT ,  高出力 ,  ハードスイッチング ,  動作原理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 評価 ,  エミュレーション ,  プラットフォーム