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J-GLOBAL ID:201802220859192547   整理番号:18A0925931

Diracノード線フェルミオンによるハニカム単層CuSeのエピタキシャル成長【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial Growth of Honeycomb Monolayer CuSe with Dirac Nodal Line Fermions
著者 (24件):
資料名:
巻: 30  号: 16  ページ: e1707055  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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2D遷移金属カルコゲン化物は,それらの新しい性質と潜在的応用のために大きな注目を集めている。2D遷移金属ジカルコゲニドはそれらの層積層バルク相により容易に作製できるが,2D遷移金属モノカルコゲニドは得ることが困難である。最近,ナノスケール三角形ホールの固有パターンを持つ単一原子層遷移金属モノカルコゲナイド(CuSe)をCu(111)上に作製した。第一原理計算は,正孔を有する自立単分子層CuSeは安定でないが,正孔フリーCuSeはミラー反射対称性により保護されたDiracノード線フェルミオン(DNLF)により付与されることを示した。この非常に稀なDNLF状態は,スピン-軌道結合ギャップ内に位置するトポロジー的に自明でないエッジ状態によって証明される。正孔を含まないハニカムCuSeの有望な特性に動機付けられて,単分子層CuSeを分子線エピタクシーによりCu(111)表面上に作製し,高分解能走査トンネル顕微鏡法による成功を確認した。CuSe/Cu(111)の計算バンド構造と角度分解光電子放出スペクトルの良好な一致は,試料がハニカム格子を持つ単層CuSeであることを示した。これらの結果は,ハニカム単分子層遷移金属モノカルコゲナイドが,2D DNLFを研究するための新しいプラットフォームになり得ることを示唆している。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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塩  ,  太陽電池  ,  その他の無機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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