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J-GLOBAL ID：201802221057313281   整理番号：18A0427715

高温セラミックスとその応用SiCパワーモジュール【Powered by NICT】

High-temperature electro-ceramics and their application to SiC power modules

著者 (5件)： Murayama Norimitsu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Hirao Kiyoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Sando Mutsuo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Tsuchiya Tetsuo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Yamaguchi Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 4  ページ： 3523-3530  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 耐熱性受動部品(スナバキャパシタと抵抗器),金属化基板,セラミック回路基板,および高温包装技術のような炭化ケイ素(SiC)パワーモジュールへの応用のための高屈折率エレクトロセラミックを開発するために日本における研究成果を報告した。高温におけるSiCデバイスの動作を可能にするために, 40と250°Cの間で250°Cと温度サイクルに耐える能力は,すべてのセラミック部品とパッケージング技術のための保証できなければならない。受動部品に対し,次の特性が達成された,それは高スイッチング速度と高温でのSiCデバイスの動作を可能にする: 40~250°Cの温度範囲で,10MHz以下の周波数でほとんど変動しない2%以下の抵抗変化を示す低抵抗抵抗器±10%以下の容量変動を有する多層セラミックコンデンサ(MLCCs)上記温度範囲内で,約10MHzの高い自己共振周波数を持つ。さらに,高熱伝導性Si_3N_4(180W/(m K))と共燃焼プロセスを用いて製造したセラミック回路基板を用いたCu金属化セラミック基板を開発した。開発されたセラミック部品を用いて製作したプロトタイプSiCパワーモジュール(2-in-1構造)は225°Cで運転できることが示されたが,高スイッチング速度を示し,従来のSi IGBT(150°C運転)のそれよりも10 20倍速かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共振周波数 ,  メタライゼーション ,  抵抗器 ,  耐熱性 ,  *高温 ,  エレクトロセラミック ,  磁器コンデンサ ,  *炭化ケイ素 ,  熱サイクル
準シソーラス用語： セラミック基板 ,  スイッチング速度 ,  回路基板 ,  受動素子 ,  *パワーモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 誘電特性(C) ,  電気的性質(C) ,  熱伝導率(C) ,  機能的応用(D)

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミックス ,  応用 ,  SiC ,  パワーモジュール