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J-GLOBAL ID:201802221112078181   整理番号:18A1218670

Φ300mm単結晶シリコン炭素不純物に及ぼす磁場構造の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Magnetic Field Structure on Carbon Concentration in 300 mm Diameter Czochralski Single Crystal Silicon Growth
著者 (5件):
資料名:
巻: 46  号: 11  ページ: 2119-2124  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0398A  ISSN: 1000-985X  CODEN: RJXUEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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CGSim結晶成長ソフトウェアを利用して、異なる磁場構造が直拉単結晶シリコン中の炭素不純物含有量に与える影響を分析した。結果により、雰囲気中の炭素原子は主に融体の自由表面上のるつぼ壁側の近くの拡散によって融体に拡散する。対称磁場と非対称磁場の構造パラメータを調節することにより、炭素原子の混入領域の対流強度を抑制し、炭素原子拡散層の厚さを増大し、融体中の炭素原子濃度を下げる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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半導体の結晶成長  ,  半導体の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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