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J-GLOBAL ID：201802221115445297   整理番号：18A1427570

二官能性ハイブリッドグラフェン酸化物/VドープNaNbO_3タイプIIヘテロ構造の電子構造,仕事関数,光学特性および安定性の調整:H_2生成の有望な光触媒【JST・京大機械翻訳】

Tuning the electronic structures, work functions, optical properties and stability of bifunctional hybrid graphene oxide/V-doped NaNbO₃ type-II heterostructures: A promising photocatalyst for H₂ production

著者 (4件)： Opoku Francis (Department of Applied Chemistry, University of Johannesburg, P. O. Box 17011, Doornfontein Campus, 2028, Johannesburg, South Africa) ,  Govender Krishna Kuben (Council for Scientific and Industrial Research, Meraka Institute, Center for High Performance Computing, 15 Lower Hope Road, Rosebank, Cape Town, 7700, South Africa) ,  van Sittert Cornelia Gertina Catharina Elizabeth (Research Focus Area for Chemical Resource Beneficiation, Laboratory of Applied Molecular Modelling, North-West University, Potchefstroom, 2520, South Africa) ,  Govender Penny Poomani (Department of Applied Chemistry, University of Johannesburg, P. O. Box 17011, Doornfontein Campus, 2028, Johannesburg, South Africa)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 136  ページ： 187-195  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非再生可能化石燃料の枯渇源と環境に対するそれらの悪影響は,水分解プロセスによる水素発生のための効率的で適切な材料を見出すための全体的関心を駆動している。この理論的研究において,高い安定性と活性を有する二官能性酸化グラフェン(GO)/VドープNaNbO_3(100)ヘテロ構造光触媒を,ハイブリッド密度汎関数理論計算を用いて初めて研究した。NaNbO_3(100)とGOシート間の適切なタイプIIヘテロ接合構造は,界面電荷移動を促進し,それらの再結合速度を抑制し,それにより水素発生の活性を改善した。さらに,結合GOシートは,電子の分離のための導電性電子チャネルを提供することができ,したがって,NaNbO_3の光応答をさらに改善することができた。GO/VドープNaNbO_3(100)ヘテロ構造は,純粋なNaNbO_3と比較して,より小さい有効質量を有する直接バンドギャップ半導体であり,ヘテロ構造がより高い電荷キャリア移動度を有することを示した。したがって,得られた二官能性GO/VドープNaNbO_3(100)ヘテロ構造は,適切なバンド配列,狭いバンドギャップ,NaNbO_3(100)表面上の負に帯電したO原子,および電荷キャリアの増強された分離により付与される。本研究は,可視光活性を有するGOベース光触媒の開発に対する新しい洞察と価値ある展望を提供した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  キャリア移動度 ,  バンドギャップ ,  導電性 ,  *光触媒 ,  ヘテロ接合 ,  有効質量 ,  *電子構造 ,  半導体 ,  チャネル ,  可視光
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  直接バンドギャップ ,  *ヘテロ構造 ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (10件)： 二官能性 ,  グラフェン酸化物 ,  ドープ ,  タイプ ,  ヘテロ構造 ,  電子構造 ,  仕事関数 ,  光学特性 ,  安定性 ,  光触媒