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J-GLOBAL ID:201802221156529503   整理番号:18A0819389

Cu電着におけるビス(3-スルホプロピル)ジスルフィドと3-メルカプト-1-プロパンスルホン酸の熱力学的側面【JST・京大機械翻訳】

Thermodynamic aspects of bis(3-sulfopropyl) disulfide and 3-mercapto-1-propanesulfonic acid in Cu electrodeposition
著者 (5件):
資料名:
巻: 816  ページ: 132-137  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0037A  ISSN: 1572-6657  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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有機添加物はCu電着における膜成長と特性の制御に重要な役割を果たす。3-メルカプト-1-プロパンスルホン酸(MPS)とその二量体ビス(3-スルホプロピル)ジスルフィド(SPS)は,Cu電着速度を促進する代表的促進剤である。本研究では,SPSのMPSへの形式的還元電位を,1H核磁気共鳴(1H NMR)分光法により,参照チオール/ジスルフィド対とのチオール-ジスルフィド交換反応の平衡定数を測定することにより決定した。SPSのMPSへの計算された形式的還元電位は0.153V(対標準水素電極)であった。この計算に基づいて,加速機構における重要な反応であるSPS又はMPSとのCu(I)(チオラート)形成反応のセル電位も紫外可視吸収及び1H NMR分光法により推定した。正の細胞電位は,Cu(I)(チオラート)錯体の形成が添加物の存在下で熱力学的に有利であることを示す。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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電極過程  ,  電気化学反応 
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