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J-GLOBAL ID：201802221158582317   整理番号：18A0736709

TFT作製プロセスによりa-IGZO-TFTに導入される水素関連欠陥の光誘起電流過渡分光法による評価

Photo-Induced Transient Spectroscopy Study on Hydrogen-Related Trap States in a-IGZO-TFTs induced during TFT Fabrication Process

著者 (5件)： 林和志 (神戸製鋼所 応用物理研) ,  越智元隆 (神戸製鋼所 応用物理研) ,  日野綾 (神戸製鋼所 応用物理研) ,  後藤裕史 (神戸製鋼所 応用物理研) ,  釘宮敏洋 (神戸製鋼所 応用物理研)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 42  号： 8(IDY2018 15-22)  ページ： 21-26  発行年： 2018年03月01日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： In-Ga-Zn-O(IGZO)に代表されるアモルファス酸化物半導体は,高い電子移動度が比較的容易に得られるため次世代高精度FPD用材料として期待されている。しかしながら,各種ストレスに対する不安定性などの問題から,実際に量産に成功したメーカーは,現時点では一部に留まっている。TFT動作時のストレス不安定性は,TFTチャネル領域の電子状態の変化に起因する。本研究では,TFTのチャネル部の電子状態を明確化するために,光誘起電流過渡分光法(Photo-induced transient Spectroscopy:PITS)を適用し,TFT作製プロセス中に導入される水素関連欠陥の評価を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *フラットパネルディスプレイ ,  電子移動 ,  光照射 ,  スペクトロスコピー ,  電子状態 ,  不安定性 ,  性能評価
準シソーラス用語： *TFT【トランジスタ】 ,  *FPD【ディスプレイ】 ,  光誘起電子移動 ,  分光

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  入出力装置  (JC04050U)

タイトルに関連する用語 (8件)： TFT ,  作製 ,  プロセス ,  IGZO ,  水素 ,  欠陥 ,  光誘起 ,  評価