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J-GLOBAL ID：201802221205432335   整理番号：18A2234150

ディップコーティングによるGaAs基板上へのハロゲン化セシウム鉛ペロブスカイト量子ドット堆積【JST・京大機械翻訳】

Cesium lead halide perovskite quantum dot deposition on GaAs substrates by dip coating

著者 (11件)： Amboy Jefril M. (Graduate School of Engineering, Mapua University, Intramuros, Manila, Philippines) ,  Jeco Bernice Mae F. Yu (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Wang Haibin (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Kubo Takaya (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Kinoshita Takumi (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Li-Kao Zacharie Jehl (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Shoji Yasushi (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Ahsan Nazmul (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Segawa Hiroshi (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Okada Yoshitaka (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo, 153-8904, Japan) ,  Balbin Jessie Jaye R. (Graduate School of Engineering, Mapua University, Intramuros, Manila, Philippines)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： WCPEC  ページ： 0467-0471  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ディップコーティングは化学的に合成したペロブスカイト量子ドット(PQD)に適した高効率溶液堆積法である。ディップコーティングにおいて,離脱速度は膜の厚さを決定する重要な因子であり,それらの品質に影響を及ぼす可能性がある。本研究において,GaAs基板上に光学的に滑らかなセシウム鉛ハロゲン化物(CsPbX_3)PQD膜をもたらす最適な離脱速度を原子間力顕微鏡と光学的特性化によって調べた。結果は,GaAs上に高品質のPQD膜を製造するための最適な離脱速度が10mm/sであることを明らかにした。本研究は,低コストで大規模なPQD堆積のためのディップコーティングの使用に寄与する可能性がある。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *浸漬塗装 ,  *ハロゲン化 ,  ハロゲン化物 ,  *鉛 ,  品質 ,  *ヒ化ガリウム ,  *量子ドット ,  光学的性質 ,  *セシウム ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： ローコスト ,  高品質 ,  ウィーニング ,  高効率 ,  *GaAs基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ディップコーティング ,  GaAs基板 ,  ハロゲン化 ,  セシウム ,  鉛 ,  ペロブスカイト量子ドット ,  堆積