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J-GLOBAL ID：201802221241936938   整理番号：18A0027493

低電力応用のためのドレインアンダーラップをもつゲルマニウム源に基づく3次元円筒GAA TFETの設計【Powered by NICT】

Design of 3D cylindrical GAA-TFET based on germanium source with drain underlap for low power applications

著者 (4件)： Beohar Ankur (Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Indore (M.P.)-453552, India) ,  Shah Ambika Prasad (Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Indore (M.P.)-453552, India) ,  Yadav Nandakishor (Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Indore (M.P.)-453552, India) ,  Vishvakarma Santosh Kumar (Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Indore (M.P.)-453552, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDSSC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,低電力応用のためのゲルマニウム源に基づく円筒GAA TFETを提示した。提案したデバイスは,ゲルマニウムなどの低バンドギャップ材料のメリット,震源域の材料として使用されているを用いた。デバイス研究はI_ON,I_OFF,SS,I_ON/I_OFFのようなDC特性の観点から行った。提案したデバイスは,1.9×10~ 5A/μmほどの高いON電流,Si GAA TFETと比較した時に,I_ON/I_OFF比の7倍の改善に相当することを増加させた。が,ドレインアンダーラップ原因はドレインチャネル接合を横切る直列抵抗,ドレイン側,顕著に低下したオフ状態漏れ電流でのトンネリング障壁幅を増加させることにより電場を減少させるが増加した。これは超低電力応用の必要性に対処するための優れた素子性能を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  *三次元 ,  電流 ,  バンドギャップ ,  *円筒 ,  トンネル効果 ,  *ゲルマニウム ,  漏れ電流 ,  *電力応用
準シソーラス用語： 超低消費電力 ,  オフ状態 ,  直列抵抗 ,  震源域 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電力 ,  応用 ,  ゲルマニウム ,  3次元 ,  TFET ,  設計