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J-GLOBAL ID：201802221282430531   整理番号：18A0838224

E/H電界放電を用いてSiおよびMo基板上に成長させた(100)および(111)ファセットCVDダイヤモンド微結晶に埋め込まれた欠陥の特異性の解析【JST・京大機械翻訳】

An analysis of the specificity of defects embedded into (1 0 0) and (1 1 1) faceted CVD diamond microcrystals grown on Si and Mo substrates by using E/H field discharge

著者 (12件)： Nasieka Iurii (V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 45 Pr. Nauky, Kyiv 03028, Ukraine) ,  Strelchuk Victor (V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 45 Pr. Nauky, Kyiv 03028, Ukraine) ,  Naseka Victor (V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 45 Pr. Nauky, Kyiv 03028, Ukraine) ,  Stubrov Yuriy (V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 45 Pr. Nauky, Kyiv 03028, Ukraine) ,  Dudnik Stanislav (National Science Center “Kharkov Institute of Physics and Technology”, 1, Akademicheskaya St., Kharkov 61108, Ukraine) ,  Gritsina Vasiliy (National Science Center “Kharkov Institute of Physics and Technology”, 1, Akademicheskaya St., Kharkov 61108, Ukraine) ,  Opalev Oleg (National Science Center “Kharkov Institute of Physics and Technology”, 1, Akademicheskaya St., Kharkov 61108, Ukraine) ,  Koshevoy Konstantin (National Science Center “Kharkov Institute of Physics and Technology”, 1, Akademicheskaya St., Kharkov 61108, Ukraine) ,  Strel’nitskij Vladimir (National Science Center “Kharkov Institute of Physics and Technology”, 1, Akademicheskaya St., Kharkov 61108, Ukraine) ,  Tkach Vasyl (V. Bakul Institute for Superhard Materials of NAS of Ukraine, 2, Avtozavodskaya Str., Kiev 04074, Ukraine) ,  Boyko Mykola (V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 45 Pr. Nauky, Kyiv 03028, Ukraine) ,  Antypov Ievgen (Education and Research Institute of Energetics, Automation and Energy Efficiency, National University of Life and Environmental Sciences of Ukraine, 15, Heroyiv Oborony St., 03041 Kyiv, Ukraine)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 491  ページ： 103-110  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁場放電安定化によるPE CVD法を,(111)および(100)ファセット微結晶を有するMoおよびSi基板上の連続膜と同様に,自立ダイヤモンド粒子(島状膜)のアレイの成長に適用した。Raman,SEM,XRDおよびPL法を用いて,(100)および(111)ファセット結晶粒に埋め込まれた欠陥の特定の特徴を調べた。(100)および(111)ファセットダイヤモンド微結晶を有するSiおよびMo基板上に成長させたダイヤモンド島状膜の欠陥状態における主な特性差を実験データに基づいて議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *微結晶 ,  *ケイ素 ,  結晶粒 ,  *ダイヤモンド ,  核形成 ,  結晶構造 ,  *電場 ,  *放電 ,  *モリブデン ,  磁場 ,  *ファセット
準シソーラス用語： ダイヤモンド粒子 ,  シリコンウエハ ,  *特異性 ,  *CVDダイヤモンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1 核形成 ,  A1 光学顕微鏡 ,  A1 結晶構造 ,  A3 化学蒸着プロセス ,  B1 ダイヤモンド

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (11件)： 電界 ,  放電 ,  Si ,  MO基板 ,  成長 ,  ファセット ,  CVDダイヤモンド ,  微結晶 ,  欠陥 ,  特異性 ,  解析