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J-GLOBAL ID：201802221313483979   整理番号：18A0796463

欠陥誘起局在バンド形成によるナノ結晶ZnO:Y膜における光学バンドギャップ調整【JST・京大機械翻訳】

Optical bandgap tuning in nanocrystalline ZnO:Y films via forming defect-induced localized bands

著者 (6件)： Kaur Narinder (Quantum-Functional Semiconductor Research Center, Dongguk University-Seoul, Seoul 04623, Republic of Korea) ,  Lee Youngmin (Quantum-Functional Semiconductor Research Center, Dongguk University-Seoul, Seoul 04623, Republic of Korea) ,  Kim Deuk Young (Quantum-Functional Semiconductor Research Center, Dongguk University-Seoul, Seoul 04623, Republic of Korea) ,  Kim Deuk Young (Department of Semiconductor Science, Dongguk University - Seoul, Seoul 04623, Republic of Korea) ,  Lee Sejoon (Quantum-Functional Semiconductor Research Center, Dongguk University-Seoul, Seoul 04623, Republic of Korea) ,  Lee Sejoon (Department of Semiconductor Science, Dongguk University - Seoul, Seoul 04623, Republic of Korea)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 148  ページ： 30-38  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶材料における欠陥の性質とそれらの分布に関する光学的バンドギャップ同調の理解は,新しい光電子デバイス応用のための肥沃な基礎を提案する。本論文では,種々の厚さ(50~300nm)を有するナノ結晶YドープZnO(ZnO:Y)薄膜をスピンコーティング技術により石英基板上に調製し,それらの形態的,構造的および光学的性質を徹底的に調べた。均一に分布したナノ粒子から成る膜の表面は,ナノ結晶膜の厚さが増加するにつれて,結晶性の改善を示した。膜厚の増加とともに,ナノ結晶ZnO:Y薄膜の光学バンドギャップは,ナノ粒子の境界における荷電欠陥から生じる局在化エネルギーバンドの形成のため3.25から3.09eVに減少した。光学バンドギャップ可同調性と荷電欠陥の分布の間の相関を系統的に調べ,ナノ結晶ZnO:Y薄膜における光学バンドギャップ調整の機構を欠陥誘起局在化バンドモデルに基づいて議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  *光学ギャップ ,  ドーピング ,  *ナノ結晶 ,  光学的性質 ,  形態 ,  *バンドギャップ ,  スピンコーティング ,  同調 ,  ナノ粒子 ,  膜厚
準シソーラス用語： チューナビリティ ,  局在化 ,  荷電欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnO:Y ,  ナノ結晶膜 ,  光学バンドギャップ工学 ,  自然欠陥 ,  局在バンド

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 欠陥 ,  誘起 ,  バンド ,  ナノ結晶 ,  ZnO ,  光学バンドギャップ