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J-GLOBAL ID：201802221572338066   整理番号：18A1035037

金ハイパードープシリコンにおけるサブバンドギャップ光吸収の原子スケール起源【JST・京大機械翻訳】

Atomic scale origins of sub-band gap optical absorption in gold-hyperdoped silicon

著者 (2件)： Ferdous Naheed (Department of Mechanical Science & Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61820, USA) ,  Ertekin Elif (Department of Mechanical Science & Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61820, USA)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 5  ページ： 055014-055014-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金ハイパードープシリコンは,室温サブバンドギャップ光吸収を示し,赤外吸収体/検出器および不純物バンド光電池としての応用可能性を有する。サブバンドギャップ応答の起源を確立するために,第一原理密度汎関数理論を用いた。置換型金Au_Siと置換型二量体Au_Si-Au_Siはエネルギー的に好ましい欠陥配置であることが分かり,Au_Siはバンド端から十分にオフセットされた部分的に充填された中間ギャップ欠陥バンドをもたらした。Au_Siはかなりのサブバンドギャップ吸収を提供すると予測され,類似のAu濃度に対して2桁の大きさで以前の実験で測定された値を超えている。これは,実験的に実現された系において,Au_Siに加えて,注入された金は他の欠陥錯体や金析出物を含む他の方法で格子によって調節されることを示唆している。さらに,孤立したAu_SiがAu_Si-Au_Siを形成するのにエネルギー的に有利であることを明らかにした。これは中間ギャップ状態を示さない。二量体と他の錯体の形成は,Au析出の最初期段階における核として役立つ可能性があり,これは,アニーリングによるサブバンドギャップ応答の観測された急速な失活の原因となる可能性がある。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 検出器 ,  析出物 ,  二量体 ,  高速度 ,  焼なまし ,  光電池 ,  *光吸収 ,  第一原理 ,  密度汎関数法 ,  *金 ,  オフセット ,  錯体
準シソーラス用語： 失活 ,  ミッドギャップ ,  *サブバンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金 ,  サブバンドギャップ ,  光吸収 ,  原子スケール ,  起源