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J-GLOBAL ID：201802221600989219   整理番号：18A1444857

セレンドープゲルマニウムテルル相変化メモリ材料の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of Se doped GeTe phase-change material

著者 (3件)： Fang Zhigan (北京航空航天大学 材料科学与工程学院,北京,100083) ,  Mou Naihua (北京航空航天大学 材料科学与工程学院,北京100083;北京航空航天大学 国際交叉科学研究院 集成計算材料工程中心,北京100083) ,  Zhou Jian (北京航空航天大学 材料科学与工程学院,北京100083;北京航空航天大学 国際交叉科学研究院 集成計算材料工程中心,北京100083)
資料名： Beijing Hangkong Hangtian Daxue Xuebao  (Beijing Hangkong Hangtian Daxue Xuebao)
巻： 44  号： 5  ページ： 1066-1073  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2402A  ISSN： 1001-5965  CODEN： BHHDE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： セレン(Se)ドーピングは,GeTe(GeTe)相変化材料の再結晶温度を大幅に向上させ,より高いサービス温度とより良いデータ保持力を持つ。しかし,GeTeのミクロ構造と電気的性質に及ぼすSeドーピングの影響は不明であった。SeドープGeTe相変化記憶材料の幾何学的構造,結合特性,および電子物性を,第一原理計算によって研究した。その結果,GeTeの完全結晶に対して,Te原子はTe原子に優先的に置換され,Ge空格子点のGeTe系ではSeがGe空格子点に最も近いTe原子を置換する傾向があることがわかった。Se原子とGe空格子点が引力作用を有し、Ge空格子点の移動を抑制し、それによって再結晶温度を高める。SeドーピングはGe空格子点の菱面体相の体積収縮、バンドギャップの減少を招き、Ge空格子点を含む面心立方相の体積膨張、バンドギャップの増大、SeドーピングはGeTe両相の体積差異を低減させた。計算結果により,Seドーピングによる特異相転移特性の解釈に,重要な手がかりを提供した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *相転移 ,  *セレン ,  電気的性質 ,  *テルル ,  バンドギャップ ,  *第一原理 ,  ドーピング ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： 完全結晶 ,  第一原理計算 ,  電子物性 ,  ミクロ構造 ,  相変化材料 ,  GeTe ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Se doped GeTe ,  Ge vacancy ,  phase-change materials ,  first-principles calculation ,  elemental doping

分類 (1件)： 飛しょう体の設計・構造  (QK04010H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化メモリ ,  第一原理 ,  研究