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J-GLOBAL ID：201802221728811963   整理番号：18A1393252

金属前駆体と低コストSe蒸気で処理した効率的Cu(In,Ga)Se_2太陽電池のための背面界面改質【JST・京大機械翻訳】

Rear interface modification for efficient Cu(In,Ga)Se₂ solar cells processed with metallic precursors and low-cost Se vapor

著者 (8件)： Li Jianjun (Institute of New Energy Technology, College of Information Science and Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China) ,  Deng Baifei (Institute of New Energy Technology, College of Information Science and Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China) ,  Zhu Hongbing (Institute of New Energy Technology, College of Information Science and Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China) ,  Guo Fei (Institute of New Energy Technology, College of Information Science and Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China) ,  You Xiaochen (Institute of New Energy Technology, College of Information Science and Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China) ,  Shen Kai (Institute of New Energy Technology, College of Information Science and Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China) ,  Wan Meixiu (Institute of New Energy Technology, College of Information Science and Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China) ,  Mai Yaohua (Institute of New Energy Technology, College of Information Science and Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 186  ページ： 243-253  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黄銅鉱Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)材料に基づく薄膜光起電力素子は優れた電力変換効率を示した。しかし,大規模生産に適合する安全性リスクの少ない低コスト製造プロセスの開発は,依然として大きな課題となっている。安価で低毒性元素のSe蒸気を用いて,スパッタに基づく工業的製造に広く使われている高価で高毒性のH_2Seを代替することは魅力的な解決策である。かなりの注目を集めているが,金属前駆体と元素Se蒸気から作製されたデバイスはまだ劣った性能を被っている。本研究では,セレン化中のCuの劇的な外部拡散により誘起される,CII/Mo後部界面における秩序化空格子点化合物(OVC)相の背後にある主な責任を明らかにした。背面界面における有害なOVC相はブロッキング障壁として作用し,また,温度依存電流-電圧(J-V)測定,KPFM測定およびSCAPS-1Dシミュレーションによって明らかにされるように,ヘテロ接合におけるバンド曲がりを弱める。熱合金化処理による同時スパッタ金属前駆体を用いて,Cuの外部拡散と後部界面におけるOVC相の関連形成を,スパッタ前駆体中の元素CuとInをCu_9(In,Ga)_4とCu_9Ga_4合金に変えることにより効率的に抑制できることを見出した。後部界面改質により,Vocと充填因子の顕著な増加により,素子性能を大幅に改善した。著者らの結果は,後部界面のドーピング密度をさらに改善し,バンドギャップを最適化することにより,より高い効率さえ達成できることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *界面 ,  ヘテロ接合 ,  最適化 ,  *インジウム ,  *セレン ,  *銅 ,  *太陽電池 ,  ドーピング ,  温度依存性 ,  合金 ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  *前駆体 ,  シミュレーション

著者キーワード (6件)： CIGS太陽電池 ,  後部インタフェイス ,  金属前駆体 ,  元素Se蒸気 ,  OVC相 ,  ブロッキング障壁

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 前駆体 ,  Se ,  蒸気 ,  Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  背面 ,  界面 ,  改質