文献
J-GLOBAL ID:201802221845539831   整理番号:18A0996695

光触媒水分解中の増強H_2発生による2D SnS_2/G-C_3N_4ヘテロ接合の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of 2D SnS2/g-C3N4 heterojunction with enhanced H2 evolution during photocatalytic water splitting
著者 (9件):
資料名:
巻: 524  ページ: 313-324  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0279A  ISSN: 0021-9797  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本研究において,2D SnS_2/g-C_3N_4ヘテロ接合を,マイクロ波マッフルを用いてSnS_2ナノシートとg-C_3N_4ナノシートの均一分散を加熱することによって首尾よく調製した。SEM,TEMおよびHRTEM画像は,SnS_2ナノシートがg-C_3N_4ナノシートの表面に担持されていることを示した。UV-visスペクトルは,調製したままの試料の吸収強度が増加し,吸収範囲も420nmから約600nmまで拡大することを示した。5wt%SnS_2/g-C_3N_4上でのH_2生成速度は,犠牲剤としてTEOAを用い,電子トラップとしてPtを用いた可視光照射(λ>420nm)下で972.6μmol h(-1)に達し,それは元のg-C_3N_4とSnS_2のそれらよりそれぞれ2.9と25.6倍高かった。得られたPLスペクトル,光電流およびEISスペクトルによると,ヘテロ接合上のH_2発生に対する増強された性能は,主に,改善された光触媒性能をもたらす適切なバンドギャップ位置から生じる急速な電荷移動に起因する。リサイクル実験は,調製したままの複合材料がH_2生産において良好な安定性を示すことを示した。さらに,種々の特性化技術によって得られた結果に基づいて,H_2発生の可能な増強機構を推論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
コロイド化学一般  ,  塩基,金属酸化物  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 

前のページに戻る