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J-GLOBAL ID：201802221964465990   整理番号：18A2213152

Si(111)上の単分子層Pbにおける量子井戸状態のフォノン誘起線幅【JST・京大機械翻訳】

Phonon-induced linewidth of quantum-well states in monolayer Pb on Si(111)

著者 (11件)： Sklyadneva I.Yu. (Donostia International Physics Center (DIPC), San Sebastian/Donostia, Basque Country 20018, Spain) ,  Sklyadneva I.Yu. (Karlsruher Institut fuer Technologie, Institut fuer Festkorperphysik, Karlsruhe D-76021, Germany) ,  Sklyadneva I.Yu. (Institute of Strength Physics and Materials Science SB RAS, Tomsk 634021, Russia) ,  Sklyadneva I.Yu. (Tomsk State University, Tomsk 634050, Russian Federation) ,  Heid R. (Karlsruher Institut fuer Technologie, Institut fuer Festkorperphysik, Karlsruhe D-76021, Germany) ,  Bohnen K.-P. (Karlsruher Institut fuer Technologie, Institut fuer Festkorperphysik, Karlsruhe D-76021, Germany) ,  Chulkov E.V. (Donostia International Physics Center (DIPC), San Sebastian/Donostia, Basque Country 20018, Spain) ,  Chulkov E.V. (Tomsk State University, Tomsk 634050, Russian Federation) ,  Chulkov E.V. (Departamento de Fisica de Materiales and Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, Facultad de Ciencias Quimicas, UPV/EHU, Apdo. 1072, San Sebastian/Donostia, Basque Country 20080, Spain) ,  Chulkov E.V. (Centro de Fisica de Materiales CFM - Materials Physics Center MPC, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, San Sebastian/Donostia 20018, Spain) ,  Chulkov E.V. (St. Petersburg State University, St. Petersburg 199034, Russian Federation)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 678  ページ： 86-90  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)上のPbの4/3単分子層により形成された表面超構造における量子井戸状態の線幅への電子-フォノン寄与の研究を報告する。密度汎関数理論に基づくab initio計算を,混合基底擬ポテンシャル表現における線形応答アプローチを用いて行った。寿命広がりへのフォノン誘起寄与を励起電子と正孔の両方について解析した。フォノン寄与は,フォノン誘起線幅が電子エネルギーに関係なく約13meV付近で滑らかに変化するSiバンドギャップ内の非占有Pb電子状態を除いて,励起電子(正孔)のエネルギー位置に一般的に非常に敏感であることが分かった。これは,Si電子バンドへの多数のフォノン媒介遷移が電子-フォノン結合を実質的に増加させるので,より大きな線幅またはより短い寿命を示す占有Pb電子状態に対して異なる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  *量子井戸 ,  電子状態 ,  密度汎関数法 ,  電子-フォノン相互作用 ,  *鉛 ,  *単分子層 ,  *ケイ素 ,  *フォノン ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 擬ポテンシャル ,  第一原理計算 ,  超構造 ,  *線幅 ,  *シリコン(111) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Si(111)上の鉛被覆層 ,  量子井戸状態 ,  生涯 ,  電子-フォノン結合

分類 (2件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  単分子層 ,  Pb ,  量子井戸 ,  フォノン ,  誘起 ,  線幅