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J-GLOBAL ID：201802222027626258   整理番号：18A1859958

CMOS対称自己バイアス電圧基準【JST・京大機械翻訳】

A CMOS symmetric self-biased voltage reference

著者 (2件)： Park Minseon (Department of Electronic and Electrical Eng., Ewha Womans University, Seoul, South Korea) ,  Park Sung Min (Department of Electronic and Electrical Eng., Ewha Womans University, Seoul, South Korea)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 80  ページ： 28-33  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,対称自己バイアス電圧基準(SSVR)と名付けた新しいCMOS電圧基準回路を提案した。これは,従来の一定g_m電流源の電圧ヘッドルーム問題と修正定電流源における余分なバイアスの必然的必要性だけでなく,電力供給と温度の著しい変動に対して強い耐性をもつ安定バイアス電圧を維持することを可能にした。SSVRのテストチップを0.11μm CMOSプロセスを用いて実装した。測定結果は,提案したSSVRの対称構成が,0.7から1.2VまでのV_DD変化と-15°Cから125°Cへの温度変化に対して一定の電圧基準を達成するのに役立つことを実証した。作製したチップは0.7~1.0Vの供給電圧で一定の18.5μA電流を消費し,そのコアは0.04×0.047mm2の面積を占める。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力供給 ,  *CMOS ,  定電流電源 ,  *電圧 ,  *対称性 ,  電流 ,  *バイアス ,  温度変動
準シソーラス用語： *自己バイアス ,  供給電圧 ,  テストチップ ,  電流源 ,  基準回路 ,  *バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CMOS ,  一定G_m ,  修正カスコード ,  PVT変動 ,  自己バイアス ,  電圧基準

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  対称 ,  自己 ,  バイアス電圧