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J-GLOBAL ID：201802222050379259   整理番号：18A0973195

立方晶系ReO_3型TiZrF_7-xにおける過剰フッ素の除去による正から負への熱膨張のクロスオーバ【JST・京大機械翻訳】

Crossover of thermal expansion from positive to negative by removing the excess fluorines in cubic ReO₃-type TiZrF_7-x

著者 (12件)： Yang Cheng (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhang Yugang ,  Bai Jianming ,  Qu Bingyan ,  Tong Peng ,  Wang Meng ,  Lin Jianchao ,  Zhang Ranran ,  Tong Haiyun ,  Wu Ying ,  Song Wenhai ,  Sun Yuping
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 19  ページ： 5148-5152  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ReO_3型TiZrF_7-x(x=0,0.5および1)化合物中の過剰フッ素を吸引することにより,正から負への熱膨張係数(CTE)のクロスオーバを報告した。300Kと623Kの間の平均体積CTEは,x=0に対して8.07ppmK-1からx=0.5に対して0.66ppmK-1に変化し,最終的にx=1に対して-6.09ppmK-1に変化した。過剰なフッ素を引き抜いた後,格子は膨張し,エッジ共有多面体は部分的にコーナー共有結合に変換し,これはフッ素の横振動を増強し,従ってCTEのクロスオーバを説明する。さらに,これらの化合物はxとともに減少するエネルギーギャップを有する狭いギャップ半導体である。NTEは過剰なフッ素を除去することにより他のフッ素過剰立方フッ化物でも達成可能であり,フッ化物中のNTEを探索するための新しい道を開く。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *熱膨張 ,  *立方晶系 ,  フッ化物 ,  共有結合 ,  半導体 ,  熱膨張係数 ,  エネルギーギャップ ,  *フッ素 ,  横振動
準シソーラス用語： *クロスオーバー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 電気化学一般  (CB07010N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 立方晶系 ,  フッ素 ,  熱膨張 ,  クロスオーバ