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J-GLOBAL ID：201802222083827613   整理番号：18A0972828

結合トポロジーと官能基による自己集合単分子層から成るトンネル接合における破壊量子干渉の制御【JST・京大機械翻訳】

Controlling destructive quantum interference in tunneling junctions comprising self-assembled monolayers via bond topology and functional groups

著者 (10件)： Zhang Yanxi (Stratingh Institute for Chemistry, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands. [e-mail]) ,  Ye Gang ,  Soni Saurabh ,  Qiu Xinkai ,  Krijger Theodorus L. ,  Jonkman Harry T. ,  Carlotti Marco ,  Sauter Eric ,  Zharnikov Michael ,  Chiechi Ryan C.
資料名： Chemical Science (Web)  (Chemical Science (Web))
巻： 9  号： 19  ページ： 4414-4423  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7042A  ISSN： 2041-6539  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子干渉効果(QI)は,それらが小さな構造変化を通して指数関数的にコンダクタンスに影響を及ぼすことができるので,分子トンネリング接合に基づくナノスケール素子において関心が持たれている。しかし,それらの利用は,QI特徴の位置と大きさに関する予測と決定論的制御を必要とし,それは重要な課題のままである。この文脈において,著者らは,3つのベンゾジチオフェン系分子ワイヤを設計し,合成した。一つの線形共役,一つの交差共役及び一つの交差共役キノン。共晶Ga-In(EGaIn)とCP-AFMを用いて,自己集合単分子層(SAM)から成る分子接合における周知のアントラキノンと比較した。密度汎関数理論と遷移電圧分光法を組み合わせることにより,干渉特徴とその位置の存在が結合トポロジーと電気陰性度を操作することにより独立に制御できることを示した。これは実験的にこれら二つのパラメータを分離する最初の研究であり,トンネル接合のコンダクタンスはQI特徴の位置と深さに依存することを示し,両者は総合的に制御できる。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *位相幾何学 ,  *接合 ,  量子干渉効果 ,  密度汎関数法 ,  トンネル効果 ,  *トンネル接合 ,  電圧 ,  コンダクタンス ,  キノン ,  共役 ,  *干渉
準シソーラス用語： 分子接合 ,  分子ワイヤ ,  *量子干渉 ,  *自己集合単分子膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  鉄の錯体  (CE01091H) ,  八員環以上の複素環化合物  (CF07120T) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： トポロジー ,  官能基 ,  自己集合単分子層 ,  トンネル接合 ,  破壊 ,  量子干渉